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STMicroelectronics / STH310N10F7-6

STH310N10F7-6

Référence fabricant: STH310N10F7-6
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Feuilles de données: STH310N10F7-6 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesDeepGATE™, STripFET™ VII
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C180A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds12800 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)315W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurH2PAK-6
Paquet / caisseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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