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BSS84XHZGG2CR

Référence fabricant:	BSS84XHZGG2CR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Feuilles de données:	BSS84XHZGG2CR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	230mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	34 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DFN1010-3W
Paquet / caisse	3-XFDFN

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