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IPS12CN10LGBKMA1

Référence fabricant:	IPS12CN10LGBKMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
Feuilles de données:	IPS12CN10LGBKMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	69A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 83µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5600 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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