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IRLD110

Référence fabricant:	IRLD110
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Feuilles de données:	IRLD110 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse	4-DIP (0.300", 7.62mm)

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