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G2R1000MT17D

Référence fabricant:	G2R1000MT17D
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
Partie de la description:	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Feuilles de données:	G2R1000MT17D Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	G2R™
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	53W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3

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