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IMBG120R350M1HXTMA1

Référence fabricant:	IMBG120R350M1HXTMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Feuilles de données:	IMBG120R350M1HXTMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolSiC™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1.2 kV
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	468mOhm @ 2A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	196 pF @ 800 V
Fonction FET	Standard
Dissipation de puissance (max)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO263-7-12
Paquet / caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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