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ISP25DP06LMSATMA1

Référence fabricant:	ISP25DP06LMSATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Feuilles de données:	ISP25DP06LMSATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1.9A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-SOT223
Paquet / caisse	TO-261-3

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