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ROHM Semiconductor / R8008ANJFRGTL

R8008ANJFRGTL

Référence fabricant: R8008ANJFRGTL
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.03Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)195W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurLPTS
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 58

Le minimum: 1

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