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GA20JT12-263

Référence fabricant:	GA20JT12-263
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
Partie de la description:	TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Feuilles de données:	GA20JT12-263 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	45A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3091 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	282W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Paquet / caisse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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