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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NDS9407_G

NDS9407_G

Référence fabricant: NDS9407_G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesPowerTrench®
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds732 pF @ 30 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.5W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SOIC
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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