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Rochester Electronics / RJK4006DPD-00#J2

RJK4006DPD-00#J2

Référence fabricant: RJK4006DPD-00#J2
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Feuilles de données: RJK4006DPD-00#J2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)400 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)65W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurMP-3A
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 33000

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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