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STW65N65DM2AG

Référence fabricant:	STW65N65DM2AG
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Feuilles de données:	STW65N65DM2AG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	446W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3

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