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PMFPB8032XP,115

Référence fabricant:	PMFPB8032XP,115
Fabricant:	Nexperia
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Feuilles de données:	PMFPB8032XP,115 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 10 V
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	6-HUSON-EP (2x2)
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad

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