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Rochester Electronics / NVD6824NLT4G

NVD6824NLT4G

Référence fabricant: NVD6824NLT4G
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
Feuilles de données: NVD6824NLT4G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8.5A (Ta), 41A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3468 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.9W (Ta), 90W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurDPAK (SINGLE GAUGE)
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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État des stocks: 1000

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