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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Référence fabricant: TK12P60W,RVQ
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Feuilles de données: TK12P60W,RVQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesDTMOSIV
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C11.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 300 V
Fonction FETSuper Junction
Dissipation de puissance (max)100W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurDPAK
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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État des stocks: Expédition le jour même

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