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IR (Infineon Technologies) / BSP613PL6327HUSA1

BSP613PL6327HUSA1

Référence fabricant: BSP613PL6327HUSA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Feuilles de données: BSP613PL6327HUSA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesSIPMOS®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2.9A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds875 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-SOT223-4
Paquet / caisseTO-261-4, TO-261AA
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État des stocks: Expédition le jour même

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