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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NVMYS4D6N04CLTWG

NVMYS4D6N04CLTWG

Référence fabricant: NVMYS4D6N04CLTWG
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Feuilles de données: NVMYS4D6N04CLTWG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C21A (Ta), 78A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.6W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurLFPAK4 (5x6)
Paquet / caisseSOT-1023, 4-LFPAK
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