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ROHM Semiconductor / RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Référence fabricant: RQ1C075UNTR
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Feuilles de données: RQ1C075UNTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C7.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)700mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurTSMT8
Paquet / caisse8-SMD, Flat Lead
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 2468

Le minimum: 1

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