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TK1K2A60F,S4X

Référence fabricant:	TK1K2A60F,S4X
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Feuilles de données:	TK1K2A60F,S4X Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSIX
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-220SIS
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack

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