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IR (Infineon Technologies) / IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

Référence fabricant: IRLB3813PBF
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Feuilles de données: IRLB3813PBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesHEXFET®
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C260A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.95mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds8420 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)230W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220AB
Paquet / caisseTO-220-3
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