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IR (Infineon Technologies) / BSB014N04LX3GXUMA1

BSB014N04LX3GXUMA1

Référence fabricant: BSB014N04LX3GXUMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Feuilles de données: BSB014N04LX3GXUMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceLast Time Buy
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C36A (Ta), 180A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds16900 pF @ 20 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurMG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse3-WDSON
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