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Renesas Electronics America / RQK0607AQDQS#H1

RQK0607AQDQS#H1

Référence fabricant: RQK0607AQDQS#H1
Fabricant: Renesas Electronics America
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
Feuilles de données: RQK0607AQDQS#H1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.5W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurUPAK
Paquet / caisseTO-243AA
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Le minimum: 1

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