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RF1S22N10SM

Référence fabricant:	RF1S22N10SM
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	N-CHANNEL POWER MOSFET
Feuilles de données:	RF1S22N10SM Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	-
La technologie	-
Vidange à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	-
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Package de l'appareil fournisseur	-
Paquet / caisse	-

OPTIONS D'ACHAT

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