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ROHM Semiconductor / R5011ANX

R5011ANX

Référence fabricant: R5011ANX
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
Feuilles de données: R5011ANX Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceNot For New Designs
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C11A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)50W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220FM
Paquet / caisseTO-220-3 Full Pack
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État des stocks: 460

Le minimum: 1

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