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ROHM Semiconductor / R6076MNZ1C9

R6076MNZ1C9

Référence fabricant: R6076MNZ1C9
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Feuilles de données: R6076MNZ1C9 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C76A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)740W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-247
Paquet / caisseTO-247-3
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