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NVD4806NT4G

Référence fabricant:	NVD4806NT4G
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	N-CHANNEL, MOSFET
Feuilles de données:	NVD4806NT4G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	11.3A (Ta), 79A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2.142 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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