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FQT4N25TF

Référence fabricant:	FQT4N25TF
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Feuilles de données:	FQT4N25TF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	QFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	830mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75Ohm @ 415mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-223-4
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA

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