Vishay / Siliconix / SISA40DN-T1-GE3
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SISA40DN-T1-GE3
| Référence fabricant: | SISA40DN-T1-GE3 |
| Fabricant: | Vishay / Siliconix |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | TrenchFET® Gen IV |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 20 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 43.7A (Ta), 162A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | +12V, -8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3415 pF @ 10 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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