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IXFT60N65X2HV

Référence fabricant:	IXFT60N65X2HV
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Feuilles de données:	IXFT60N65X2HV Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HiPerFET™
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6300 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	780W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TO-268HV
Paquet / caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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