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PMN55ENEH

Référence fabricant:	PMN55ENEH
Fabricant:	Nexperia
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
Feuilles de données:	PMN55ENEH Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	646 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	6-TSOP
Paquet / caisse	SC-74, SOT-457

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