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PMV45EN,215

Référence fabricant:	PMV45EN,215
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 5.4A TO236AB
Feuilles de données:	PMV45EN,215 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchMOS™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	280mW (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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