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ROHM Semiconductor / RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Référence fabricant: RQ6E085BNTCR
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Feuilles de données: RQ6E085BNTCR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C8.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs32.7 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.25W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurSOT-457
Paquet / caisseSC-74, SOT-457
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État des stocks: 971

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