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ROHM Semiconductor / RS3L045GNGZETB

RS3L045GNGZETB

Référence fabricant: RS3L045GNGZETB
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
Feuilles de données: RS3L045GNGZETB Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds285 pF @ 30 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SOP
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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État des stocks: 2480

Le minimum: 1

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