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Rochester Electronics / NTLJS4149PTBG

NTLJS4149PTBG

Référence fabricant: NTLJS4149PTBG
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
Feuilles de données: NTLJS4149PTBG Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)700mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur6-WDFN (2x2)
Paquet / caisse6-WDFN Exposed Pad
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État des stocks: 309000

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