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BVSS123LT1G

Référence fabricant:	BVSS123LT1G
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Feuilles de données:	BVSS123LT1G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	170mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	225mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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