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STMicroelectronics / STL35N6F3

STL35N6F3

Référence fabricant: STL35N6F3
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 35A POWERFLAT
Feuilles de données: STL35N6F3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesSTripFET™ III
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C35A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds-
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5W (Ta), 80W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPowerFlat™ (5x6)
Paquet / caisse8-PowerVDFN
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