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EPC2033

Référence fabricant:	EPC2033
Fabricant:	EPC
Partie de la description:	GANFET N-CH 150V 31A DIE
Feuilles de données:	EPC2033 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	eGaN®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Vidange à la tension de source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	31A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 5 V
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1140 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	Die
Paquet / caisse	Die

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