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IR (Infineon Technologies) / SPD50P03LGBTMA1

SPD50P03LGBTMA1

Référence fabricant: SPD50P03LGBTMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Feuilles de données: SPD50P03LGBTMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs126 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6880 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)150W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-TO252-5
Paquet / caisseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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État des stocks: 3119

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