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Rochester Electronics / FQB7N65CTM

FQB7N65CTM

Référence fabricant: FQB7N65CTM
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Feuilles de données: FQB7N65CTM Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesQFET®
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1.245 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)173W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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État des stocks: 7686

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