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Rochester Electronics / FQI4N20TU

FQI4N20TU

Référence fabricant: FQI4N20TU
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
Feuilles de données: FQI4N20TU Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesQFET®
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C3.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.13W (Ta), 45W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurI2PAK (TO-262)
Paquet / caisseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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État des stocks: 5000

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