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TK5Q65W,S1Q

Référence fabricant:	TK5Q65W,S1Q
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Feuilles de données:	TK5Q65W,S1Q Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	DTMOSIV
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	5.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 170µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	I-PAK
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak

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Modèles populaires

	TK5Q65W,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK5Q60W,S1VQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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