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TPN1R603PL,L1Q

Référence fabricant:	TPN1R603PL,L1Q
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Feuilles de données:	TPN1R603PL,L1Q Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSIX-H
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	104W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

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