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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / IRLS640A

IRLS640A

Référence fabricant: IRLS640A
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Feuilles de données: IRLS640A Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C9.8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 4.9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 5 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1705 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)40W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220F
Paquet / caisseTO-220-3 Full Pack
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