GeneSiC Semiconductor / G3R45MT17D
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G3R45MT17D
| Référence fabricant: | G3R45MT17D |
| Fabricant: | GeneSiC Semiconductor |
| Partie de la description: | SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3 |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | G3R™ |
| Paquet | Tube |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 1700 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 61A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 40A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 8mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 15 V |
| Vgs (max) | ±15V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4523 pF @ 1000 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 438W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de l'appareil fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / caisse | TO-247-3 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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