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FDZ209N

Référence fabricant:	FDZ209N
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Feuilles de données:	FDZ209N Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	PowerTrench®
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	657 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	12-BGA (2x2.5)
Paquet / caisse	12-WFBGA

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