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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G

Référence fabricant: MGSF2N02ELT1G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Feuilles de données: MGSF2N02ELT1G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2.8A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4 V
Vgs (max)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 5 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.25W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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État des stocks: 42826

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