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IPT60R102G7XTMA1

Référence fabricant:	IPT60R102G7XTMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 23A 8HSOF
Feuilles de données:	IPT60R102G7XTMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolMOS™ G7
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	23A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1320 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	141W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-HSOF-8-2
Paquet / caisse	8-PowerSFN

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