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IPN50R2K0CEATMA1

Référence fabricant:	IPN50R2K0CEATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Feuilles de données:	IPN50R2K0CEATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	CoolMOS™ CE
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	124 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-SOT223
Paquet / caisse	SOT-223-3

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