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STMicroelectronics / STF7N65M6

STF7N65M6

Référence fabricant: STF7N65M6
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesMDmesh™ M6
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 10 V
Vgs (max)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 100 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)20W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220FP
Paquet / caisseTO-220-3 Full Pack
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