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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Référence fabricant:	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Feuilles de données:	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 17µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1560 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

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